1、MOS晶体管(N沟道增强型MOSFET)的工作原理是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，从而改变这些“感应电荷”形成的导电沟道的状态，进而达到控制漏极电流的目的。
2、在制造管道时，通过工艺在绝缘层中出现大量的正离子，因此在界面的另一侧可以感应出更多的负电荷。
3、这些负电荷连接高磁导率杂质的N区，形成导电沟道，即使当VGS=0时，也有大的漏极电流ID。
4、当栅极电压改变时，沟道中感应的电荷量也改变，导电沟道的宽度也改变，因此漏极电流ID随着栅极电压的改变而改变。
“张承辉博客” mos管工作原理详细讲解（mos管工作原理？） https://www.zhangchenghui.com/240817